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基础知识:硅光芯片中的热光效应

Posted on 2026-06-182026-06-18 by 李, 东霏

透明光学材料的折射率随温度变化,这种现象就叫热光效应。我们用下面这个公式来量化它的大小。

其中,介质折射率是等于真空光速÷介质内光速,即:

温度升高时,材料会发生微弱的热膨胀,分子或原子之间的间距变大。间距拉大后,单位体积内能被光波电场驱动的电子数变少了,光与材料的相互作用减弱,对光的减速效果下降,所以折射率通常会降低。

但与此同时,温度升高还会让材料内部的原子和分子热振动加剧。以硅为例,温度升高时,内部原子热振动幅度增大,价电子和自由电子的活跃度明显提升。

而热光效应的根本原因,就是温度上升导致原子、分子的热振动加剧。

所以对于硅来说,虽然热膨胀确实存在,但电子活跃度变化带来的光学性能影响,远比热膨胀引起的载流子稀释效应要强。

所以硅、二氧化硅这类材料啊,温度越高折射率越大,属于正热光系数材料。这个结果和我们日常直觉可能不太一样。

热光效应在实际中有不少应用。比如马赫-曾德尔干涉仪,就是利用热光效应来调节两臂的相位差,实现光开关或光衰减功能。

Coherent:单通道 400G PAM4 纯硅 MZM 调制方案

海信Ligent:基于 TFLN MZM 的 400G/lane LDO 方案验证

GlobalFoundries:单波 200G 的 60GHz 硅光 MZM 调制器方案

一束光分成两路,分别进入两条平行的干涉臂。一条是参考臂,没有加热结构,温度恒定,折射率固定。另一条是热光移相臂,波导上方带有金属加热电阻。

加热时,这条臂的折射率增加,光速变慢,相位延迟增大。两条臂之间产生相位差,从而实现光路的开关或衰减控制。

不过热光效应的响应速度比较慢,适合做静态光路切换,比如光开关,但没法用来高速调制传输数据。真正的高速调制靠的是电光效应,而不是热光效应。

另外,热光效应也可以用来做补偿。比如用硅热相移补偿器,来解决铌酸锂调制器常见的直流偏置漂移问题。

薄膜铌酸锂基础&华为海思的 540Gbps SiN-SOI-TFLN

再比如,EML,DFB 激光器的波长漂移也源于热光效应,温度升高使波导折射率上升、光栅周期拉伸,谐振波长向长波方向移动。

为什么 EML 离不开 TEC ?

在长距、DWDM这些场景,DFB激光器对温度极为敏感, 光模块内部会配备 TEC 半导体制冷片和热敏电阻,通过闭环控温来稳定波长。

若有不准确的地方烦请指正。

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Category: 光器件与模块, 半导体, 原理

博主
李东霏
【香农信息技术研究院】

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