NTT：基于 SiN 平台的 μ-TP 可调谐薄膜 InP 激光器

本文要点

• 今年，华为海思发布了两项基于低损耗 SiN-SOI 平台的高速调制器成果。
• GlobFoundries、PsiQuantum 和 TSMC 也在多次报告中提到氮化硅工艺的进展。
• 参考：薄膜铌酸锂基础&华为海思的 540Gbps SiN-SOI-TFLN氮化硅的带隙很宽，大约 5.1 eV，而 O 波段光子的能量只有 0.95 eV 左右。