MACOM：面向2.4T/3.2T的DRV/TIA技术演进与方案取舍

高速光模块的电芯片分模拟和数字两大类。模拟这边是发射端的驱动芯片 DRV 和接收端的跨阻放大器 TIA，负责光电信号的放大与转换。

数字这边以 DSP 为主，做色散补偿、相位控制、误码纠错和脉冲整形。

模拟芯片里，DRV 输出的调制电压和 TIA 转换出的电压都是高速模拟信号，对寄生参数很敏感。

所以 PD 与 TIA 的互连要尽量优化，才能降低损耗。

传统方案里 TIA 和 PD 是两颗独立芯片，靠金丝引线（Wire bond）连接，PD 采用顶面入射。

金丝键合工艺成熟、成本低，但金丝带来的寄生电容和电感会限制带宽，也会引入损耗与串扰。

为了减少这些寄生，倒装方案把 TIA 和 PD 通过铜柱凸点（Cu Pillar）面对面贴装，以去掉金丝。

倒装 Flip chip 让 TIA 正面朝下，通过铜柱直接焊接，互连距离极短，寄生小、带宽高，适合 800G/1.6T 光模块。

另一种是 3D 堆叠，把背面入射的 PD 直接叠放在引线键合型 TIA 上，不过 TIA 到 DSP 依然用引线键合。

堆叠方案如果输出端还是引线键合，寄生的限制就依然存在。

在今年的 CIOE2026 上，MACOM 基于这些互连思路，展示了面向 2.4T/3.2T 的两代 TIA 产品。

第一代有预集成 PD 和不带 PD 两个版本，但 TIA 到 DSP 仍靠金丝引线，寄生电感限制了带宽，属于早期方案。

MACOM 第二代把 TIA 直接倒装在硅光波导 PD 上方，去掉了这段金丝，损耗进一步降低。

当然哈，发射链路也同样需要满足带宽和信号完整性要求，依赖于调制器驱动器 DRV。

在 CIOE2026 上，MACOM 也演示了业界首款单通道 400G/lane 的 DRV 芯片。

器件采用差分输入，最高可以支持 280 GBaud 符号速率。

实测在没有离线信号处理时达到 390 Gbps PAM4，借助离线均衡补偿信道损耗后达到 400 Gbps PAM4。

在包含引线键合模型的情况下，它的 3 dB 带宽达到 150 GHz。

除了 PAM4 硅光 IM-DD 的 DRV 和 TIA，MACOM 还布局了 coherent-lite 轻量相干路线。

它支持 MZM 和 TFLN 调制器，包含驱动器和低噪声 TIA，重点优化功耗。

相比 400G-ZR，驱动器功耗下降 47%，TIA 功耗下降 35%。这套芯片组不含 DSP，要搭配第三方相干 DSP，主要面向数据中心互联。

简单记录一下 MACOM 在 CIOE2026 上关于电芯片 DRV/TIA 的情况。

感谢阅读。

若有不准确的地方请见谅！

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