在开始之前，我们先要了解芯片中的“层”是什么概念。
芯片设计采用分层方法，对应制造过程中的不同功能结构。例如掩模版中的图形层、晶圆上的材料层（如金属层、多晶硅层、介质层）等。
其中PCB电路版图是我们芯片设计的最终结果。电路版图是芯片设计的物理表达，其每一层设计（如金属连线层）对应一张掩模版。通过光刻工艺，掩模版图形被转移到硅晶圆上，形成实际的物理层。
如下图左侧所示是晶体管设计版图，取自电路版图的一部分。
不同的颜色代表不同的层，也对应着相应的掩模版，每张掩模版经过光刻后会晶圆上形成材料介质层。电路版图中的每一层设计（如金属层、多晶硅层）对应一张掩模版，电路版图有多少层，最终晶圆上就有多少层的材料介质层。
这些材料介质层在硅晶圆上叠加在一起，就形成了整个芯片上，乃至整个硅晶圆上所有的电路元器件和电路连线，称之为电路层。这里需明确：一个裸片本身已包含完整的多层电路结构（如晶体管层、金属互连层）。不像有的地方说的一个裸片上只有一层电路层。
这些元器件上面不再有元器件的堆叠。经过电路层制造、划片、封装和测试，就形成了我们的传统的2D芯片。
在2D芯片中，多个裸片是平铺到硅片上的，指未堆叠的单个封装体。
我们在2D芯片的电路层和封装基板之间增加一层专门用于布线的硅中介层，即Silicon Interposer，裸片堆叠到中介层上，硅中介层通过TSV实现芯片与基板的垂直互连，这样的芯片我们称之为2.5D芯片。
需要注意的是2.5D芯片中裸片本身不垂直堆叠。
而3D芯片指的是多个电路层堆叠起来的，每个裸片上都有一个电路层。但也2.5D芯片不同的是，在3D封装中，TSV直接在芯片上实现多层硅晶圆的垂直互连。如下图所示：
我们作个比喻：22D芯片如单层平房；2.5D如带阁楼的复式（中介层=楼梯）；3D封装如多层公寓。
这里我们提一下存储芯片，虽然它的封装壳中中有一个裸片，但如果在此裸片上集成了很多电路层，那么存储芯片也可以被看作是3D芯片。2021年美光公司推出了176层的3D NAND闪存芯片。
不过，需要注意的，3D NAND是单颗裸片内部的垂直堆叠（属于芯片制造工艺），而3D封装是多颗完整裸片的垂直堆叠（属封装技术），二者层级上还是不同的。
感谢阅读，若有表述不准确地方，请指正~
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