中芯国际的创新硅锗平坦化工艺 Posted on 2026-04-072026-10-17 by 本文要点 现在做高端芯片,比如5nm、3nm这种,工程师们发现用硅锗(SiGe)材料做某些晶体管的 PMOS 沟道,性能比纯硅好。但问题也跟着来了:当我们在半导体衬底上挖出不同大小的沟槽,往里面填满硅锗后,需要把整个表面磨平(这个过程叫CMP,化学机械抛光)。不过,不同尺寸的硅锗区域,磨出来的效果差别很大。 🔒 本文为付费内容 以下为付费部分,单篇解锁后永久可看。 单篇解锁 ¥9.90 支持微信支付 · 支付后自动解锁,无需注册支付有问题请联系客服微信 WaytoICT Category: 付费专栏, 第一期100篇