我们平时看到的 EML 激光器，结构里都带 TEC。
比如这种 TO 封装结构中，TEC 侧面紧贴热压基板，再通过基板贴 EML 芯片。
也有这样的结构：
TEC 的原理是热电制冷效应，也就是珀尔帖效应：两种不同半导体形成电结，通电后一侧吸热、一侧放热，实现主动控温。
EML 本身，是把 DFB 激光发射区和 EAM 电吸收调制区集成在同一芯片上。前段 DFB 负责发光，后段 EAM 负责控光。
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EAM 通过电压控制光的通断。常规模式下，不加电压时，对特定波长的光 “透明”；加反向电压，就变 “不透明”，把光吸收掉。
光传输区域的 I 区吸收特性示意图如下。
DFB 激光器在工作时是持续发光的，它的发光波长和功率特性如下图所示。
当施加反向电压时，DFB 的波长正好落在吸收谷中心，光被强烈吸收，透射功率很低，输出为逻辑 “0”。
当不加电压或只加低电压时，吸收谷会发生移动，DFB 的波长移出吸收谷，进入透光区，透射功率很高，输出为逻辑 “1”。
用吸收曲线来表示，当电压为 0V 时，吸收光谱的边缘远离激光波长，调制器几乎不吸收光。
如果 Δλ 太小，激光波长贴近 EAM 吸收边缘，0V 时吸收也极强，输出极低，这样虽然能提高消光比，但会导致逻辑 “1” 功率不足，影响性能。
回到我们最开始的问题，就好解释为什么要为 EML 加 TEC 进行温度控制了？
前面说的 TO 封装里，EML 芯片工作会发热。温度一升，DFB 波长就向长波长红移，速率大概 0.1nm/℃。
EAM 的吸收谷也会红移，但两者漂移速率不一样。
而 EAM 的吸收谷是窄窗口，调制全靠 DFB 波长和吸收谷边缘精准匹配。温度一变，两者位置就偏了，会出现关态吸不净、开态透不出的问题。
所以需要用 TEC 精准控温，稳住波长和吸收谷的匹配，让 EML 在各种环境下都能稳定工作。
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