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三菱双EAM串联差分EML结构

三菱:双EAM差分EML的直流端接与交流耦合方案对比

Posted on 2026-10-30 by

前天写了三菱在 ECOC2026 上的玻璃基板双 EAM 差分 EML 倒装方案。

无论 OFC2026 还是 ECOC2026,它家的 EML 都采用了双 EAM 串联结构。

三菱双EAM串联差分EML结构

EAM1 的阳极和 EAM2 的阴极接公共地,两个 EAM 的物理长度完全一致,SSC 模斑转换器用来提升光纤耦合效率。

把两个 EAM 串联后,总电容减半,刚好抵消差分驱动下 100 Ω 端接电阻带来的 RC 时间常数翻倍问题。

同时,DFB 与两个 EAM 之间做了电气隔离,差分驱动电压只加在 EAM 电极上,避免信号泄露到激光器,也防止两个 EAM 之间互相串扰。

针对差分射频高速信号,端接方案主要分两类:DC 直流端接和 AC 交流端接。

DC直流端接与AC交流端接方案对比

这两种方案的核心区别在于终端匹配电阻如何接地。因为 EAM 必须加直流偏置电压才能工作,这就牵涉到直流电流的走向。

在 DC 端接中,50 Ω 端接电阻直接接到基板的地平面,偏置产生的直流电流会直接流过电阻入地。

DC端接50Ω电阻直接接地

电流流过电阻会发热耗电,而数据中心对低功耗要求极高。

但 DC 端接电阻独立接地,两个 EAM 的光生电流可分别泄放,对工艺不平衡和电流失配容忍度高,低频共模响应也不会劣化。

在上半年的 OFC2026 上,三菱采用了裸片打线(CoC)的方式,极限测出大于 100 GHz 的 3-dB 带宽。

OFC2026裸片打线CoC封装

当时阈值电流为 8 mA,在 DFB-LD 注入电流 100 mA 时,输出功率达到了 19 mW。

到了 ECOC2026,三菱改用子基板封装。在 DC 端接下,113 GBaud PAM4 测试实现了 0.96 dB 的 TDECQ,3-dB 电光带宽达到 80 GHz。

ECOC2026子基板封装DC端接测试

此时 EAM 偏置电压为 +1.65 V / -1.65 V,消光比为 3.3 dB,出光功率为 8.8 dBm。其差模与共模的输出差大于 10 dB,低频共模抑制效果不错。

为了解决直流偏置电流白白流过电阻带来的高功耗问题,三菱引入了 AC 交流耦合方案,也就是在电阻和地之间串联隔直电容。

为了节省封装面积,三菱没有给两个 50 Ω 电阻各配一个电容,而是把两个电阻连在一起,共用一个 10 nF 的 AC 耦合电容再接地。

单电容AC耦合端接方案

隔直电容能挡住直流,只让高频射频信号入地。这样既完成了射频匹配,又阻断了直流电流,功耗大幅降低。

实测在 113 GBaud PAM4 速率下,AC 端接的 3-dB 带宽依然保持在 80 GHz。

此时 AC 端接的正负偏置电压为 +1.45 V / -1.45 V,TDECQ 为 0.59 dB,消光比 3.5 dB,出光功率 8.9 dBm。

AC端接113GBaud PAM4测试结果

可以认为在 113 GBaud 这个速率下,AC 端接与 DC 端接的调制性能几乎完全相同。

三菱在 OFC2026 用 DC 端接做到过 360 Gb/s,但过于耗电。

因此,三菱基于 AC 端接做了 155 GBaud(310 Gb/s)测试。在 100 mA 电流和 1.2 Vppd 摆幅下,实现 TDECQ 2.1 dB,消光比 3.7 dB,出光功率 9.0 dBm。

155GBaud(310Gb/s) AC端接测试

当然,单电容 AC 方案也有风险。若双 EAM 光电流不平衡且缺少独立接地,共模响应可能劣化,而 DC 端接无此风险。

前几天的文章中,也讲了三菱的玻璃基板倒装方案,同样采用了 AC 耦合。倒装是为了缩小单通道面积,提升集成密度。

但这也牺牲了性能,带宽从引线键合的 80 GHz 降到了 60.3 GHz。

最后来小结一下。

DC端接与AC端接方案小结

感谢阅读,若有不准确的地方请见谅!

扩展阅读:
旭创:基于EAM光生电流的EML无MPD光功率监控方案
Coherent:行波电极高速 EML 方案
Lumentum:4×200G 差分驱动EML进展

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