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光互连迈向 3.2T:425G/lane 的一些问题与思路

Posted on 2025-10-292025-10-29 by 李, 东霏

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当前,光学互连技术正处在一个关键的升级节点。

 

主流方案是每通道 212.5G 的 PAM4 调制,采用硅光技术,封装在 8 通道的 OSFP 模块中,实现 1600G 的总速率。

 

光互连迈向 3.2T:425G/lane 的一些问题与思路

 

而下一代技术将迈向每通道 425G 的 PAM4,要求单通道带宽达到 106 GHz(可以结合符号速率,根据奈奎斯特准则计算出来)。

 

那么,为什么要向 400G 每通道推进呢?主要有两大动力:

 

  • 一是端口密度可以实现翻倍,
  • 二是能带来显著的成本优化。

 

如下图所示,一个 3200G 模块所需的零部件数量,如激光器、探测器、驱动器和光纤接口,与 1600G 模块几乎是相当的。

 

光互连迈向 3.2T:425G/lane 的一些问题与思路

 

这也就意味着,我们可以用相近的物料成本,实现了带宽的翻倍,单位比特的成本自然大幅下降。

 

当然,这也是有很多挑战哈。

 

首先,在如此高的速率下,PAM4 调制几乎是保证足够光信噪比的必然选择,同时也对通道的信号纯净度提出了极高要求。比如说在100-110 GHz频段内,串扰需要控制在 <-50 dB 到 -60 dB 的水平等。

 

其次,为了构建一个高带宽、低损耗的电气通道,共封装铜缆(CPC)连接器被证明是一种非常有效的解决方案。

 

光互连迈向 3.2T:425G/lane 的一些问题与思路

此外,传统硅光技术在这样高的速率下已显得力不从心,带宽成为瓶颈,因此我们必须转向新的光学调制器技术。

 

目前主要有哪些技术选择呢?

 

有三种材料平台在竞争:SiPh、InP 和 TFLN。传统硅光的带宽已接近极限,如下表所示(资料来源:Lumentum)。

 

光互连迈向 3.2T:425G/lane 的一些问题与思路

 

我们可以从几个关键维度来比较它们:

 

  • 射频损耗方面,InP 和 TFLN 表现优异,硅光则较差;
  • 集成能力上,硅光擅长无源器件集成,但激光器集成困难,而InP在激光器集成方面优势明显;
  • 成本与尺寸方面,SIPh 和 InP 相对更有竞争力;
  • 量产成熟度上,硅光和InP较为成熟,TFLN 则刚刚起步;
  • 带宽与调制效率方面,TFLN 带宽最高,InP 也具有不错的调制效率,两者都是 400G 应用的优秀候选。

 

关于 TFLN 基础原理与 400G 应用举例,可阅读:薄膜铌酸锂基础&华为海思的 540Gbps SiN-SOI-TFLN

 

基于这些技术,现在业界的产品演进路径也日渐清晰。

 

第一步是过渡型产品:1600G-DR4/FR4 模块。

 

光互连迈向 3.2T:425G/lane 的一些问题与思路

 

它的电气接口为 8×200G,通过一个称为 Gearbox 的 DSP 芯片转换成 4×400G PAM4 光信号,可选 EML、InP 或 TFLN 光学方案,在 WaytoICT 展会上已经有原型演示了。

 

但是,它的主要缺点是 DSP 功耗较高。

 

下一代产品是速率更高的 3200G-DR8/2FR4 模块。它原生支持 8 个 400G 光通道,因此要求交换机芯片具备原生 400G SerDES 。

 

其接口可采用 LRO/TRO ,光学部分同样基于 EML、InP 或 TFLN 技术。同时需要支持 425G PAM4(106 GHz)的新型连接器,该产品预计 2028 年投入量产。

 

说到这里,它们都必须面对一个挑战,那就是 DSP 的功耗问题。

 

光互连迈向 3.2T:425G/lane 的一些问题与思路

 

随着速率从 800G 向 1600G、3200G 演进,尽管每比特能耗有所改善,但 DSP 带来的绝对功耗增量仍然非常可观。

 

这也正是业界积极探索 LPO、LRO 以及 CPO 等低功耗架构的原因,包括有的厂家推出了半 DSP,半 LPO 架构,目的都是为了降功耗和解决散热问题。

 

1.6T/3.2T光模块:半DSP、半LPO混合架构

 

除了传统可插拔模块,业界也在探索其他封装路径。例如更高通道数的可插拔模块:设想 64个通道,每通道 400G,即可实现 25.6T 的单模块容量。

 

如此一来,仅需 8 个模块就能支撑一台 204.8T 的交换机,极大缩短了系统内的电气传输距离。

 

当然,这需要多厂商之间的标准化协作,包括借助液冷技术(例如高效的微通道液冷方案)来解决随之而来的散热挑战。比如电子科大:基于微通道液冷的 CPO 共封装方案。

 

说到 CPO,这也是目前非常火的封装路径。在 400G PAM4 调制下,CPO 的短电气通道下表现优异。

 

我们以采用 CPC 连接器和 31 AWG 电缆的测试数据为例。

光互连迈向 3.2T:425G/lane 的一些问题与思路

 

其中,425G PAM4 信号可稳定传输 1200 mm,插入损耗为 41dB;而更高的 448G PAM4 则能传输 1100 mm,插入损耗为 42dB。

 

光互连迈向 3.2T:425G/lane 的一些问题与思路

 

但问题在于,硅光技术带宽不足,难以满足 400G 的要求;其次,TFLN 目前主要作为一种异质集成材料,要在 CPO 中实现 64 通道(400G @ 25.6T)的单片光电集成,这相当困难。

 

因此,400G PAM4 的 CPO 可能更需要依赖像 InP 这样能提供更高带宽和更低插入损耗的新技术平台。不过,这项技术也需要时间开发,并非能够快速上市的方案。

 

有人可能会问:为什么不考虑PAM6呢?

 

确实,400G PAM6 在铜缆传输中具有插入损耗更低的优势。

 

光互连迈向 3.2T:425G/lane 的一些问题与思路

 

但在光通信中,PAM6 会带来约 2dB 的光信噪比净损失,且 PAM6 与 PAM4 之间的转换 DSP 功耗极高,这对系统优化十分不利。

 

因此,在光互连系统设计中,这也是为什么我们更倾向于采用 PAM4 SerDES 的原因之一。

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