聊调制器、光探测器、硅光芯片的技术或原理时，我们常提到光电效应、电光效应。
这俩效应本质都是电子 / 空穴的能量和状态变化，一个空穴，严格对应一个电子的缺失。只是驱动源（光/电）和其最终表现形式不同。
光电效应，简单说就是光简单说就是光照射到材料上，电子吸收光子能量发生能级跃迁，价带中便会留下一个对应的空穴。
如果入射光子的能量足够大，超过了材料的 “逸出功”，电子就能直接挣脱材料表面跑出去，形成可被收集的光生载流子，这就是光电探测器的核心原理。
这里说的逸出功，就是电子要从材料表面 “逃出去” 必须跨过的最低能量门槛，有点像卫星要离开地球，必须达到第二宇宙速度才行。
如果光子能量没那么强，它大于材料的禁带宽度，却小于逸出功，那电子就跑不出材料表面，只能从价带被激发到导带，在材料内部形成自由电子和空穴对。
这种变化会让材料的导电性变强、电阻变小。光敏电阻，就是靠这个原理工作的。
电光效应则是外加电场会改变材料的折射率。
在硅光调制器里，外加偏压会改变硅中自由载流子（电子/空穴）的浓度，而载流子浓度变化，又会直接影响硅的折射率。
可以这么理解：载流子越多，对光的 “阻力” 就越大，光在材料里跑得就越慢。而折射率（n）的定义，就是光在真空中的速度除以光在介质中的速度。
既然折射率变了，光在波导里的传播速度就会变。同样一段距离，光走得快和走得慢，到达终点时的波形就会错开，这就叫相位调制。
再把经过相位调制的两路光，放到 MZI 干涉结构里，相位差就会转化成光强的强弱变化，最终实现我们需要的强度调制。
GlobalFoundries：单波200G的60GHz MZM调制器方案
Lightmatter：16 波长 800G BiDi 微环硅光 CPO 方案
不过要注意，不是所有 “电控光” 的效应，都和硅光里的载流子有关。还有一类材料的调制器，它的电光效应完全不依赖载流子。
最典型的就是铌酸锂调制器。它靠的是外加电场直接改变晶体内部的电子云极化分布，也就是泡克尔斯效应，从而改变材料的宏观折射率。
A*Star：8 吋硅基 TFLN 110GHz 调制器量产方案
新易盛：单通道 400G 的 TFLN 1.6T/3.2T 方案
HyperLight/Ciena：TFLN 工艺进展与 Coherent Lite 12.8T XPO 方案
铌酸锂的电光效应好比直接用手扭动海绵的形状， 外力（电场）直接改变材料的结构（电子云分布），从而改变光线通过的路径。
因为整个过程无自由载流子参与、无载流子寿命限制，铌酸锂调制器响应速度快得多。
硅光调制器是靠外加电压注入或耗尽载流子、改变载流子浓度。它和铌酸锂的经典电光效应，虽都能电控光，但物理机理完全不同。
所以严格来说，硅光的载流子色散调制，不怎么算是经典电光效应。
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